欢迎欢迎访问厦门大学张洪良课题组。团队成立于2017年，现有博士后、博士及硕士研究生约25人。依托厦门大学化学化工学院、物理科学与技术学院，以及表界面化学全国重点实验室、国家集成电路产教融合创新平台、嘉庚创新实验室等国家级科研平台，团队构建了“材料制备—物性表征—器件构筑—机理解析”全链条研究体系。
主要研究方向：
1.第四代半导体（氧化镓、金刚石等）外延生长、电学调控与器件研究
2.宽禁带半导体表界面电子结构及芯片界面散热机制研究
3.过渡金属氧化物表界面化学及光电催化、磁性构效关系研究
研究条件与特色：
团队拥有分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、化学气相沉积（CVD）及磁控溅射等先进薄膜沉积设备，具备原子级精度单晶薄膜的制备能力。依托学校公共平台，可实现XRD、HRTEM、XPS、拉曼、光致发光光谱等物性表征，以及超净间、紫外/电子束曝光、电子束蒸发等完整微纳加工流程。
在机理研究方面，团队长期依托英国Diamond、澳大利亚同步辐射光源及上海光源等国内外大科学装置，结合第一性原理计算，系统揭示固体表界面电子结构及其与宏观性能的内在关联机制，为材料设计与器件优化提供理论支撑。
