2026年3月28日上午，中国科学技术大学集成电路学院/微电子学院徐光伟教授应邀在卢嘉锡楼215会议室开展题为“基于界面工程和电场调控的氧化镓功率器件研究”的学术讲座。讲座围绕氧化镓肖特基势垒二极管的边缘终端优化、新型结终端结构设计及沟槽型器件开发等前沿方向展开，系统介绍了团队在提升器件耐压、降低损耗方面的最新突破，为高性能功率器件研发提供了新思路。
讲座现场反响热烈，徐教授结合团队多年在超宽禁带半导体与高K介质材料领域的研究积累，深入浅出地解析了器件物理机制与工艺实现路径。其团队近五年已在IEEE EDL、TED、APL、PRB等主流期刊及ISPSD、IEDM等国际会议发表SCI论文40余篇，他引超3000次，获授权发明专利19件，并荣获安徽省教学成果特等奖、墨子学者等荣誉。
本次讲座不仅展示了氧化镓功率器件领域的前沿进展，也为在场师生提供了宝贵的学术交流机会。徐教授鼓励“青年学生”关注基础研究与产业应用的结合，共同推动半导体技术的发展。讲座结束后，多位师生就器件仿真、工艺兼容性等问题与徐教授展开深入探讨，现场学术氛围浓厚。
